Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4983334Ключові слова:
квантовая яма, двумерный электронный газ, рассеивающий потенциал.Анотація
Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы. Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности.
Downloads
Опубліковано
2017-02-20
Як цитувати
(1)
А.С. Боголюбский, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, and М.В. Якунин, Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле, Low Temp. Phys. 43, (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 618-622, (2017)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4983334.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.