Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
Электронные свойства низкоразмерных систем
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2409653Ключові слова:
двойные квантовые ямы, магнитотранспортные эффекты, электронные переходы.Анотація
В двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2 ) температурные зависимости продольного сопротивления rxx (Т) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл-диэлектрик В = 0 имеют "диэлектрический" характер в интервале температур T = 1,8-70 К (kBTt / ħ = 0,2-3,8). Аномальная температурная зависимость sху (В, Т) в области wс t = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
Ю.Г. Арапов, Б.Н. Звонков, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, В.Н. Неверов, И.В. Карсканов, С.В. Гудина, М.В. Якунин, and Е.А. Ускова, Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами: Электронные свойства низкоразмерных систем, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 217-221, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2409653.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.