Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4983333Ключові слова:
двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, переход изолятор–квантовая холловская жидкость.Анотація
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In0,2Ga0,8As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T –κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.
Downloads
Опубліковано
2017-02-20
Як цитувати
(1)
А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, and М.В. Якунин, Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs, Low Temp. Phys. 43, (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 612-617, (2017)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4983333.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.