Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

Автор(и)

  • А.П. Савельев Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • С.В. Гудина Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Ю.Г. Арапов Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • В.Н. Неверов Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • С.М. Подгорных Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • М.В. Якунин Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4983333

Ключові слова:

двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, переход изолятор–квантовая холловская жидкость.

Анотація

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In0,2Ga0,8As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T –κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.

Downloads

Опубліковано

2017-02-20

Як цитувати

(1)
Савельев, А.; Гудина, С.; Арапов, Ю.; Неверов, В.; Подгорных, С.; Якунин, М. Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs. Fiz. Nizk. Temp. 2017, 43, 612-617.

Номер

Том 43 № 4 (2017)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>