Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле

Анотація

Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы. Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности.