Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4803176Ключові слова:
двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, инфракрасное излучение.Анотація
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в пер- пендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными силь- но связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.
Downloads
Опубліковано
2013-02-14
Як цитувати
(1)
С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, and М.В. Якунин, Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами, Low Temp. Phys. 39, (2013) [Fiz. Nizk. Temp. 39, 481-485, (2013)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4803176.
Номер
Розділ
Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.