Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4908192%20Ключові слова:
квантовый эффект Холла, гипотеза скейлинга, масштаб примесного потенциала.Анотація
Экспериментально исследованы продольное rxx(B,T) и холловское rxy(B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.
Downloads
Опубліковано
2014-12-18
Як цитувати
(1)
Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, and М.В. Якунин, Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки, Low Temp. Phys. 41, (2014) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 139-146, (2014)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4908192 .
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.