Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.5086407Ключові слова:
квантовий ефект Холла, скейлiнг, квантові ями, напівпровідники, потенціал безладу.Анотація
Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів κ типу «плато-плато» в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявилося, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні κ = 0,5–0,7. Стверджується, що в рамках теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти κ = 0,54 ±0,01 для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2018-12-19
Як цитувати
(1)
Gudina, S.; Klepikova, A.; Neverov, V.; Shelushinina, N.; Yakunin, M. Scaling Laws under Quantum Hall Effect for a Smooth Disorder Potential. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 45, 204-209.
Номер
Розділ
Статті