Quantum magnetoresistance in Si whiskers
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0004972Ключові слова:
silicon, whiskers, hopping conductivity, weak localization, spin-orbit interaction.Анотація
Досліджено електричний магнітоопір легованих нікелем та бором ниткоподібних кристалів кремнію, в яких спостерігається перехід метал-ізолятор. Гігантський магнітоопір досягає 280 % у ниткоподібних кристалах Si з концентрацією легуючої домішки бору р300K = 5·1018 cм–3 у магнітних полях з індукцією до 14 Тл при температурі 4,2 К. Показано, що особливості магнітоопору при низьких температурах обумовлено структурою кристалів «серцевина–оболонка». Природу гігантського магнітоопору розглянуто в рамках квантової моделі магнітоопору. Аналіз проведено для визначення критичного поля переходу від класичного параболічного магнітоопору до квантового магнітоопору, який реалізований у приповерхневій області кристала. Ниткоподібні кристали кремнію використовували для проєктування датчиків магнітного поля.Downloads
Опубліковано
2021-04-22
Як цитувати
(1)
A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, and N. Liakh-Kaguy, Quantum magnetoresistance in Si whiskers, Low Temp. Phys. 47, (2021) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 525-530, (2021)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0004972.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.