Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.5097360Ключові слова:
ниткоподібні кристали InSb, від’ємний поздовжній магнітоопір, концентрація домішки, вплив деформації.Анотація
На основі досліджень поздовжнього магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb n-типу провідності, легованих Sn до концентрацій 6·1016–6·1017 см–3, в інтервалі температур 4,2–40 К і магнітних полів до 10 Тл виявлено осциляції Шубнікова–де Гааза в деформованих і недеформованих зразках. Проведено аналіз поведінки польових залежностей магнітоопору згідно відомих теоретичних уявлень. Встановлено, що з підвищенням індукції магнітного поля магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb змінює свій знак від позитивного до від’ємного. Обговорюються механізми, які зумовлюють появу високих значень від’ємного магнітоопору (ВМО) у зразках InSb з концентрацією легуючої домішки, що відповідає близькості до переходу метал–діелектрик. Існування ВМО пов’язане з класичним розмірним ефектом, а також гранічним розсіюванням у провідності приповерхневих шарів мікрокристалів.
Downloads
Опубліковано
2019-03-19
Як цитувати
(1)
A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, and N. Liakh-Kaguy, Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers, Low Temp. Phys. 45, (2019) [Fiz. Nizk. Temp. 45, 599-604, (2019)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5097360.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.