Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers

Автор(и)

  • A. Druzhinin Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine
  • I. Ostrovskii Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine
  • Y. Khoverko Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine
  • N. Liakh-Kaguy Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0000124

Ключові слова:

ниткоподібні кристали германію, осциляції магнітоопору, слабка локалізація, деформація, кріогенні температури.

Анотація

Вивчено польові залежності магнітоопору ниткоподібних кристалів германію з концентрацією легувальної домішки галію 2∙1017–3 в діапазоні магнітних полів 0–14 Тл за температури 4,2 К під дією деформації стиску 0,2%. Проведені розрахунки впливу одновісної деформації на спектр валентної зони германію за kp-методом дозволили оцінити енергії спін-орбітального розщеплення та ефективні маси легких та важких дірок. На основі аналізу осциляцій магнітоопору Шубнікова–де Гааза одержано значення ефективної маси важких дірок mc = 0,25msub>0, енергії спін-орбітального розщеплення ΔHH = 1,5 меВ, g-фактора Ланде в напрямі [111] g* = 4,8 та кубічного параметра Рашби спін-орбітальної взаємодії βSO = 1∙10−28 eВ∙м3. Згідно теорії слабкої локалізації, для поздовжньої магнітопровідності деформованих ниткоподібних кристалів Ge за низьких температур визначено довжини фазової та спін-орбітальної когерентності носіїв заряду.

Downloads

Опубліковано

2019-09-24

Як цитувати

(1)
A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, and N. Liakh-Kaguy, Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers, Low Temp. Phys. 45, (2019) [Fiz. Nizk. Temp. 45, 1391-1396, (2019)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0000124.

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.