HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Автор(и)

  • S.V. Gudina M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • N.N. Mikhailov A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 13 Lavrentyev Ave., Novosibirsk 630090, Russia
  • M.V. Yakunin M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • N.G. Shelushinina M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • E.V. Deriushkina M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • M.R. Popov M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • S.M. Podgornykh M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • V.N. Neverov M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • Yu.G. Arapov M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620108, Russia
  • S.A. Dvoretsky A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 13 Lavrentyev Ave., Novosibirsk 630090, Russia

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5093521

Ключові слова:

телурид ртуті, квантовий ефект Холла, стрибкова провідність, скейлинг, довжина локалізації, великомасштабний випадковий потенціал.

Анотація

Експериментально досліджено поздовжній та холлівський опори в квантовій ямі телуриду ртуті з інвертованим зонним спектром (dQW = 20,3 нм), що виміряні в режимі квантового ефекту Холла (КЕХ) в магнітних полях до 9 Тл та інтервалі температур 2,9–50 К. Проаналізовано температурні залежності ширини переходу між плато КЕХ та провідність зі змінною довжиною стрибка в області плато КЕХ. Дані представлено в універсальній скейлінговій формі як в області переходу між плато, так і в режимі стрибкової провідності. Виявлено вирішальну роль великомасштабного випадкового потенціалу (віддалене легування через спейсер) в процесах локалізації–делокализации носіїв заряду в режимі КЕХ в дослідженій системі.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2019-03-19

Як цитувати

(1)
Gudina, S.; Mikhailov, N.; Yakunin, M.; Shelushinina, N.; Deriushkina, E.; Popov, M.; Podgornykh, S.; Neverov, V.; Arapov, Y.; Dvoretsky, S. HgTe Quantum Wells With Inverted Band Structure: Quantum Hall Effect and the Large-Scale Impurity Potential. Fiz. Nizk. Temp. 2019, 45, 476-483.

Номер

Розділ

Електронні властивості провідних систем

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 > >>