Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6)
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4894317%20Ключові слова:
манганиты, дефектность структуры, магниторезистивный эффект, фазовые переходы.Анотація
Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными (χас и ЯМР 55Mn), магниторезистивным и электрон-номикроскопическим методами исследованы керамические образцы Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6). Показано, что с ростом концентрации x тип искажения элементарной ячейки изменяется от орторомбического (x = 0−0,2) к псевдокубическому (x = 0,4−0,6) и повышается дефектность структуры, содержащей анионные и катионные вакансии. Уменьшение температур фазовых переходов «металл–полупроводник» Tms и «ферро–парамагнетик» TС, повышение удельного сопротивления и энергии активации при росте x объяснено повышением концентрации вакансий, ослабляющих высокочастотный электронный двойной обмен Mn3+↔Mn4+. Для составов с повышенным содержанием неодима обнаружен переход в антиферромагнитное состояние при понижении температуры ниже 130 К. Наблюдается два вида магниторезистивного эффекта. Величина первого эффекта, который проявляется вблизи температур фазовых переходов Tms и TС, повышается с ростом концентрации x. Величина второго эффекта, обнаруженного в низкотемпературной области, превосходит значение первого. Построены фазовые диаграммы магнитного состояния, которые характеризуют сильную корреляционную взаимосвязь между составом, дефектностью структуры, фазовыми переходами и функциональными свойствами, в том числе магниторезистивным эффектом.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2014-06-17
Як цитувати
(1)
Пащенко, А.; Сильчева, А.; Кисель, Н.; Бурховецкий, В.; Сычева, В.; Мазур, А.; Ревенко, Ю.; Прокопенко, В.; Пащенко, В.; Леденёв, Н. Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6). Fiz. Nizk. Temp. 2014, 40, 922-930.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм