Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La0,6Sr0,2Mn1,2-xFexOd

Автор(и)

  • В.П. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.А. Шемяков Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.В. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.К. Прокопенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • Ю.Ф. Ревенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.А. Турченко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.Н. Варюхин Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.П. Дьяконов Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • Г. Шимчак Институт физики Польской академии наук, Варшава, 02-668, Польша

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2746838

Ключові слова:

магнит-лантановые перовскиты, дефектность структуры, кластеры, фазовые переходы, магниторезистивный эффект, ЯМР 55Mn

Анотація

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР 55Mn методами исследованы керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La0,6Sr0,2Mn1,2-xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазовых переходов металл-полупроводник Tms и Кюри ТС, к увеличению пика магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах, при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР 55Mn, резонансная частота которого с увеличением x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный обмен между ионами Mn3+ и Mn4+ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии, но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен изменением доли низкоспинового Mn2+ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными ионами марганца в В-позициях.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2007-07-02

Як цитувати

(1)
Пащенко, В.; Шемяков, А.; Пащенко, А.; Прокопенко, В.; Ревенко, Ю.; Турченко, В.; Варюхин, В.; Дьяконов, В.; Шимчак, Г. Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La0,6Sr0,2Mn1,2-xFexOd. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 870-880.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>