Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La0,66Mn1,23V(c)0,11O2-2,84V(a)0,16

Автор(и)

  • В.П. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • G. Kakazei IFIMUP, Departamento do Fisica, Universidade do Porto Rua Do Campo Algro 687, 4169-007 Portu, Portugal
  • А.А. Шемяков Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • А.В. Пащенко Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • Л.Т. Цымбал Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • В.П. Дьяконов Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
  • H. Szymczak Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 32/46 Al. Lotnikov, 02-668 Warsaw, Poland
  • J.A.M. Santos IFIMUP, Departamento do Fisica, Universidade do Porto Rua Do Campo Algro 687, 4169-007 Portu, Portugal
  • J.B. Sousa IFIMUP, Departamento do Fisica, Universidade do Porto Rua Do Campo Algro 687, 4169-007 Portu, Portugal

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1704617

Ключові слова:

PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 76.60.–k

Анотація

В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La0,7Mn1,3O3 с "избыточным" марганцем установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные, анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn и 139La керамики свидетельствуют о высокочастотном электронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности и мезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Разли- чия температур фазовых переходов металл-полупроводник и энергии активации керамики и пленок объяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно, концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффект керамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалия сопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2004-02-27

Як цитувати

(1)
Пащенко, В.; Kakazei, G.; Шемяков, А.; Пащенко, А.; Цымбал, Л.; Дьяконов, В.; Szymczak, H.; Santos, J.; Sousa, J. Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La0,66Mn1,23V(c)0,11O2-2,84V(a)0,16. Fiz. Nizk. Temp. 2004, 30, 403-410.

Номер

Том 30 № 4 (2004)

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 6 > >>