Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Автор(и)

  • С.В. Гудина Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, ГСП-170, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • Ю.Г. Арапов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, ГСП-170, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • В.Н. Неверов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, ГСП-170, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • С.М. Подгорных Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, ГСП-170, г. Екатеринбург, 620990, Россия
  • М.В. Якунин Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, ГСП-170, г. Екатеринбург, 620990, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4803176

Ключові слова:

двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, инфракрасное излучение.

Анотація

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в пер- пендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными силь- но связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2013-02-14

Як цитувати

(1)
Гудина, С.; Арапов, Ю.; Неверов, В.; Подгорных, С.; Якунин, М. Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами. Fiz. Nizk. Temp. 2013, 39, 481-485.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 > >>