Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3573665Ключові слова:
полупроводники, примеси переходных элементов, гибридизированные электронные состояния, электронная теплоемкость.Анотація
В температурной зависимости электронной теплоемкости селенида ртути с примесями железа малой концентрации обнаружен аномальный немонотонный вклад, который объясняется проявлением гибридизированных электронных состояний на донорных примесях. Показано, что наблюдаемый эффект описывается теорией электронной теплоемкости, развитой на основе квантового ферми-жидкостного подхода с учетом локализации и межэлектронного взаимодействия. В результате выполненной количественной интерпретации экспериментальных зависимостей определены значения параметров гибридизированных состояний, согласующиеся с уже известными из других экспериментов. Кроме того, найден новый параметр, характеризующий взаимодействие электронов в гибридизированных состояниях.
Downloads
Опубліковано
2011-01-28
Як цитувати
(1)
В.И. Окулов, А.Т. Лончаков, Т.Е. Говоркова, К.А. Окулова, С.М. Подгорных, Л.Д. Паранчич, and С.Ю. Паранчич, Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента, Low Temp. Phys. 37, (2011) [Fiz. Nizk. Temp. 37, 281-288, (2011)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3573665.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.