Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Т. Стори Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • В. Кнофф Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • Р. Якела Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша
  • П.Н. Литвин Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, пр. Науки, 45, г. Киев, 03028, Украина
  • Е.И. Слинько Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Лазоренко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • А.И. Дмитриев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • П.Е. Буторин Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.А. Карпина Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • M.В. Радченко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Сичковский Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • П. Алешкевич Институт физики Польской академии наук, Aл. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3064911

Ключові слова:

магниторазведенные ферромагнитные полупроводники, спиновая электроника, магнитная восприимчивость, удельное сопротивление, аномальный эффект Холла.

Анотація

Исследованы химический и фазовый состав, магнитная восприимчивость, SIMS, данные магнитной силовой микроскопии и нейтронной дифракции монокристаллов Ge1–x–ySnxMnyTe, InSe и ZnO в широком диапазоне температур и магнитных полей. Для Ge1–x–ySnxMnyTe установлено существование ферромагнитного (ФМ) упорядочения с температурой Кюри ТС ~ 50 К, вызванное непрямым обменным взаимодействием между ионами Mn через вырожденный газ дырок. Показано, что ФМ области кристалла при Т < 50 К образуют фазу спинового стекла. В InSe наблюдались петли гистерезиса магнитного момента М(Н) вплоть до 350 К. Они свидетельствуют о существовании ферромагнитного упорядочения, связанного, по-видимому, с ФМ кластерами, в которых предполагается суперобмен ионов Mn через анионы (Se), и c непрямым взаимодействием через 2D-улектронный газ. Обнаружено удвоение периода магнитной подрешетки включений второй фазы α-MnSe при Т < 70 К, а размещение ее в слоистой структуре матрицы InSe имеет регулярнûй характер, образуя самоорганизованную сверхрешетку ФМ/АФМ. Температурная зависимость М в ZnO подчиняется закону Кюри. При превûшении предела растворимости Co в ZnO наблюдались петли гистерезиса как следствие проявления второй ферромагнитной фазы. Для образцов ZnO, а также в некоторых образцах ZnO при содержании Co в пределах растворимости имело место АФМ взаимодействие.

Downloads

Опубліковано

2008-12-05

Як цитувати

(1)
Г.В. Лашкарев, Т. Стори, В. Кнофф, Р. Якела, П.Н. Литвин, Е.И. Слинько, В.И. Лазоренко, А.И. Дмитриев, П.Е. Буторин, В.А. Карпина, Радченко M.В., В.И. Сичковский, and П. Алешкевич, Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI, Low Temp. Phys. 35, (2008) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 81-91, (2008)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3064911.

Номер

Том 35 № 1 (2009)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>