Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой

Автор(и)

  • Г.В. Лашкарев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Лазоренко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • А.И. Дмитриев Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • Л.А. Крушинская Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, ул. Антоновича, 68, г. Киев, Украина
  • Я.А. Стельмах Институт электросварки им. Е.О. Патона НАН Украины, ул. Антоновича, 68, г. Киев, Украина
  • Т. Стори Институт физики ПАН, ал. Лотникув, 32/46, Варшава, Польша
  • В. Кнофф Институт физики ПАН, ал. Лотникув, 32/46, Варшава, Польша
  • М.Э. Бугаева Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • М.В. Радченко Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
  • В.И. Сичковский Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4776232

Ключові слова:

ферромагнитные нанокомпозиты, ферромагнитные наночастицы, порог перколяции, спин-зависимое туннелирование, гигантский магниторезистивный эффект.

Анотація

Рассмотрены физические свойства ферромагнитных магниторазведенных полупроводников и нанокомпозитов в широком интервале температур 5–300 К. Последние имеют ряд преимуществ как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой для датчиков слабых магнитных полей. Характерной особенностью ферромагнитных нанокомпозитов является наличие туннельной спин-зависимой проводимости, приводящей к появлению отрицательного и положительного магнитосопротивления. Рассмотренные магниторезистивные эффекты имеют широкий спектр применения. В частности, на основе материалов, в которых наблюдаются такие эффекты, могут быть созданы магниторезистивные запоминающие устройства, сенсоры слабых магнитных полей, медицинские диагностические устройства и другие элементы электронной техники.

Downloads

Опубліковано

2012-11-14

Як цитувати

(1)
Г.В. Лашкарев, В.И. Лазоренко, А.И. Дмитриев, Л.А. Крушинская, Я.А. Стельмах, Т. Стори, В. Кнофф, М.Э. Бугаева, М.В. Радченко, and В.И. Сичковский, Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой, Low Temp. Phys. 39, (2012) [Fiz. Nizk. Temp. 39, 86-97, (2012)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4776232.

Номер

Том 39 № 1 (2013)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>