Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4963333%20Ключові слова:
тонкие пленки, разбавленные магнитные полупроводники, кластеры.Анотація
Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb.
Downloads
Опубліковано
2016-07-18
Як цитувати
(1)
А.И. Дмитриев and Костюченко С.A., Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb, Low Temp. Phys. 42, (2016) [Fiz. Nizk. Temp. 42, 966-971, (2016)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4963333 .
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.