Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.1334440Ключові слова:
PACS: 72.20.My, 72.20.HtАнотація
В гетеропереходе Si/Si0,64 Ge0,36 с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: teph=10-8T-2 c.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2000-12-10
Як цитувати
(1)
Андриевский, В. В.; Беркутов, И. Б.; Комник, Ю. Ф.; Миронов, О. А.; Волл, Т. Е. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 1202-1206.
Номер
Розділ
Низькоpозмірні та невпорядковані системи