Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1289133Ключові слова:
PACS: 73.20.Fz, 72.20.MyАнотація
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: tj= 6,6╥10 -12 T -1 c.Зависимость tjµT -1 следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия l 0C ≃ 0,5.Downloads
Опубліковано
2000-08-10
Як цитувати
(1)
Ю. Ф. Комник, В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, С. С. Крячко, М. Миронов, and Волл Т. E., Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах: Электpонные свойства металлов и сплавов, Low Temp. Phys. 26, 609–614, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 829-836, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1289133.
Номер
Розділ
Низькоpозмірні та невпорядковані системи
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.