Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Электpонные свойства металлов и сплавов

Анотація

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: t_j= 6,6╥10 ^-12 T ^-1 c.Зависимость t_jµT ^-1 следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия l ₀^C ≃ 0,5.