Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах

Автор(и)

  • ВВ. В. Андриевский Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • И. Б. Беркутов Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • Ю. Ф. Комник Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • О. А. Миронов Department of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK
  • Т. Е. Волл Department of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1334440

Ключові слова:

PACS: 72.20.My, 72.20.Ht

Анотація

В гетеропереходе Si/Si0,64 Ge0,36 с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического поля найдена температурная зависимость времени электрон-фононной релаксации: teph=10-8T-2 c.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-12-10

Як цитувати

(1)
Андриевский, В. В.; Беркутов, И. Б.; Комник, Ю. Ф.; Миронов, О. А.; Волл, Т. Е. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 1202-1206.

Номер

Том 26 № 12 (2000)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5