Peculiarities of electron transport and resistive switching in point contacts on TiSe2, TiSeS, and CuxTiSe2

Автор(и)

  • D. L. Bashlakov B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine
  • O. E. Kvitnitskaya B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine
  • S. Aswartham Leibniz Institute for Solid State and Materials Research
  • Y. Shemerliuk Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
  • H. Berger Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, LPMC, CH-1015 Lausanne, Switzerland
  • D. V. Efremov Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
  • B. Büchner Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, LPMC, CH-1015 Lausanne, Switzerland
  • Yu. G. Naidyuk B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0019694

Ключові слова:

TiSe2, TiTeS, CuxTiSe2, point contacts, resistive switching, ReRAM materials, charge density wave

Анотація

Сполука TiSe2 привернула велику увагу серед халькогенідів перехідних металів через її захоплюючі фізичні властивості, пов’язані з нетиповою поведінкою питомого опору, появою стану хвилі зарядової щільності (CDW), індукованою надпровідністю тощо. Тут ми повідомляємо про відкриття нової властивості TiSe2, а саме: спостереження резистивного перемикання у зміщених напругою точкових контактах (PC) на основі TiSe2 та його похідних, легованих S та Cu (TiSeS, CuxTiSe2). Перемикання відбувається між станом з низьким опором, головним чином «металевого типу», і станом «напівпровідникового типу» з високим опором при прикладанні напруги зміщення (зазвичай < 0,5 В), тоді як зворотне перемикання відбувається шляхом прикладання напруги протилежної полярності (зазвичай < 0,5 В). Різниця в опорі між цими двома станами може досягати двох порядків за кімнатної температури. Походження цього ефекту можна пояснити зміною стехіометрії ядра PC через дрейф/зміщення вакансій Se/Ti під сильним електричним полем. Крім того, продемонстровано, що нагрів, який відбувається в ядрі PC, може сприяти ефекту, який зумовлений електричним полем. Разом з тим не знайдено жодних доказів спектральних особливостей CDW в наших спектрах PC для TiSe2. Спостережене резистивне перемикання дозволяє запропонувати TiSe2 та їхні похідні як перспективні матеріали, наприклад, для розробки енергонезалежної резистивної пам’яті з довільним доступом (ReRAM)

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2023-05-29

Як цитувати

(1)
Bashlakov, D. L. .; Kvitnitskaya, O. E. .; Aswartham, S. .; Shemerliuk, Y. .; Berger, H. .; Efremov, D. V. .; Büchner, B. .; Naidyuk, Y. G. . Peculiarities of Electron Transport and Resistive Switching in Point Contacts on TiSe2, TiSeS, and CuxTiSe2. Fiz. Nizk. Temp. 2023, 49, 916–922.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 > >>