Observation of resistive switching and diode effect in the conductivity of TiTe2 point contacts

Автор(и)

  • O. E. Kvitnitskaya B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine
    Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
  • L. Harnagea Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
    I-HUB Quantum Technology Foundation, Indian Institute of Science Education and Research (IISER) Pune 411008, India
  • O. D. Feia Kyiv Academic University, Kyiv 03142, Ukraine
    G. V. Kurdyumov Institute for Metal Physics, NAS of Ukraine, Kyiv 03142, Ukraine
    Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
  • D. V. Efremov Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
  • B. Büchner Leibniz Institute for Solid State and Materials Research, IFW Dresden, Dresden 01069, Germany
    Institute of Solid State and Materials Physics and Würzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Technische Uni-versität Dresden, Dresden 01062, Germany
  • Yu. G. Naidyuk B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine Kharkiv 61103, Ukraine

Ключові слова:

TiTe2, transition-metal dichalcogenides, point contacts, resistive switching, charge density wave, diode effect, ReRAM material

Анотація

Виміряно I(V) та dV/dI(V) характеристики точкових конта-ктів (PC) на основі TiTe2 в діапазоні температур від кімнатної до гелієвої. Було виявлено ознаки, що вказують на появу хвиль зарядової густини (CDW). Вони являють собою симет-ричні відносно V = 0 максимуми на dV/dI(V) близько ±150 мВ при температурах рідкого гелію, які зникають вище 150 K, подібно до випадку спорідненої сполуки TiSe2 з CDW. При застосуванні вищих напруг понад 200 мВ було спостережено резистивне перемикання в PC TiTe2 з металоподібного низько-омного стану до неметалевого високоомного стану зі зміною опору на порядок. Унікальний діодоподібний ефект було заре-єстровано у «м’яких» PC TiTe2 з гістерезисом на I(V) при від’ємній напрузі на TiTe2. Відкриття резистивного переми-кання та діодного ефекту додає TiTe2 до дихалькогенідів пере-хідних металів, котрі можуть бути корисними для розробки енергонезалежної ReRAM та інших нанотехнологій, що розви-ваються.

Downloads

Опубліковано

2025-05-28

Як цитувати

(1)
Kvitnitskaya, O. E. .; Harnagea, L. .; Feia, O. D. .; Efremov, D. V. .; Büchner, B. .; Naidyuk, Y. G. . Observation of Resistive Switching and Diode Effect in the Conductivity of TiTe2 Point Contacts. Fiz. Nizk. Temp. 2025, 51, 951–956.

Номер

Том 51 № 7 (2025)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>