Compensation points in the lattice of semiconductor nanotubes

Автор(и)

  • A. M. Babanlı Department of Physics, Süleyman Demirel University, 32260 Isparta, Turkey

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0013296

Ключові слова:

semiconductor nanotube, partition function

Анотація

Досліджено термодинамічні властивості ґраток, утворених нанотрубками, що не взаємодіють, з використанням моделі одностінної нанотрубки в поздовжньому магнітному полі. Показано, що питома теплоємність невиродженого електронного газу в напівпровідникових нанотрубках змінюється від kB/2 до kB при підвищенні температури. Намагніченість має «пилкоподібну» форму залежності від магнітного поля. Для ґраток нанотрубок з двома різними радіусами знайдено звичайні точки компенсації, точки, в яких намагніченість зникає при фіксованих значеннях напруженості магнітного поля.

Downloads

Опубліковано

2022-07-21

Як цитувати

(1)
A. M. Babanlı, Compensation points in the lattice of semiconductor nanotubes, Low Temp. Phys. 48, (2022) [Fiz. Nyzk. Temp. 48, 812–816, (2022)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0013296.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.