Compensation points in the lattice of semiconductor nanotubes
DOI:
https://doi.org/10.1063/10.0013296Ключові слова:
semiconductor nanotube, partition functionАнотація
Досліджено термодинамічні властивості ґраток, утворених нанотрубками, що не взаємодіють, з використанням моделі одностінної нанотрубки в поздовжньому магнітному полі. Показано, що питома теплоємність невиродженого електронного газу в напівпровідникових нанотрубках змінюється від kB/2 до kB при підвищенні температури. Намагніченість має «пилкоподібну» форму залежності від магнітного поля. Для ґраток нанотрубок з двома різними радіусами знайдено звичайні точки компенсації, точки, в яких намагніченість зникає при фіксованих значеннях напруженості магнітного поля.
