Magnetic susceptibility of crystals with crossingof their band-contact lines

Автор(и)

  • G. P. Mikitik B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of UkraineKharkiv 61103, Ukraine
  • Yu. V. Sharlai B. Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of UkraineKharkiv 61103, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0005189

Ключові слова:

magnetic susceptibility, electron topological transition, crossing of nodal lines, V3Si.

Анотація

Теоретично досліджено орбітальну магнітну сприйнятливість, пов’язану з електронними станами коло точки перетинудвох ліній контакту зон в кристалі. Показано, що ця сприйнятливість може мати незвичну залежність від рівня Фермі, таможе значно змінюватисяз температурою, якщо рівень Фермі знаходиться поблизу точки перетину. Ці особливості магнітної сприйнятливості можуть бути кориснимипри детектуванні точок перетину в кристалі. Отримані результати пояснюють відомі температурні залежності магнітної сприйнятливості у V3Si.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-05-20

Як цитувати

(1)
Mikitik, G. P.; Sharlai, Y. V. Magnetic Susceptibility of Crystals With Crossingof Their Band-Contact Lines. Fiz. Nizk. Temp. 2021, 47, 654-659.

Номер

Том 47 № 7 (2021)

Розділ

Статті