Magnetic susceptibility of crystals with crossingof their band-contact lines
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0005189Ключові слова:
magnetic susceptibility, electron topological transition, crossing of nodal lines, V3Si.Анотація
Теоретично досліджено орбітальну магнітну сприйнятливість, пов’язану з електронними станами коло точки перетинудвох ліній контакту зон в кристалі. Показано, що ця сприйнятливість може мати незвичну залежність від рівня Фермі, таможе значно змінюватисяз температурою, якщо рівень Фермі знаходиться поблизу точки перетину. Ці особливості магнітної сприйнятливості можуть бути кориснимипри детектуванні точок перетину в кристалі. Отримані результати пояснюють відомі температурні залежності магнітної сприйнятливості у V3Si.Downloads
Опубліковано
2021-05-20
Як цитувати
(1)
G. P. Mikitik and Yu. V. Sharlai, Magnetic susceptibility of crystals with crossingof their band-contact lines, Low Temp. Phys. 47, (2021) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 654-659, (2021)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0005189.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.