Особенности низкотемпературного туннельного магнитосопротивления прессованных нанопорошков диоксида хрома CrO2

Автор(и)

  • Ю.А. Колесниченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Н.В. Далакова Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.Ю. Беляев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Н. Блудов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.А. Горелый Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • О.М. Осмоловская Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет Санкт-Петербург, 198504, Россия
  • М.Г. Осмоловский Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет Санкт-Петербург, 198504, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4985216

Ключові слова:

половинные металлы, диоксид хрома, гранулированные магнитные материалы, туннельное магнитосопротивление, блокированное состояние.

Анотація

Исследованы резистивные и низкотемпературные магниторезистивные свойства прессованных порошков ферромагнитного половинного металла диоксида хрома CrO2 с анизотропией формы наночастиц. Изучено влияние примеси Fe на величину туннельного сопротивления и магнитосопротивления порошков CrO2. Установлено, что примесь Fe приводит к уменьшению сопротивления и туннельного магнитосопротивления диоксида хрома. Высказано предположение, что уменьшение магнитосопротивления твердого раствора Cr1–xFexO2 связано с образованием дополнительных локализованных состояний на примесях железа в туннельном барьере. Рассмотрено влияние скорости ввода магнитного поля на вид гистерезиса низкотемпературного туннельного магнитосопротивления порошка Cr1–xFexO2. Показано, что низкотемпературные особенности гистерезиса магнитосопротивления зависят от скорости релаксации магнитных моментов наночастиц к равновесному состоянию. Обсуждаются возможные причины такой зависимости.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2017-03-20

Як цитувати

(1)
Колесниченко, Ю.; Далакова, Н.; Беляев, Е.; Блудов, А.; Горелый, В.; Осмоловская, О.; Осмоловский, М. Особенности низкотемпературного туннельного магнитосопротивления прессованных нанопорошков диоксида хрома CrO2. Fiz. Nizk. Temp. 2017, 43, 772-781.

Номер

Том 43 № 5 (2017)

Розділ

Статті