Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля

Автор(и)

  • В.Е. Сивоконь Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • К.А. Наседкин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • И.В. Шарапова Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4963325%20

Ключові слова:

электронный кристалл, прижимающее поле, двумерная система, метод молекулярной динамики.

Анотація

Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы.

Downloads

Опубліковано

2016-07-18

Як цитувати

(1)
В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, and И.В. Шарапова, Отклик электронного кристалла на внешнее возмущение в условиях неполной компенсации прижимающего поля, Low Temp. Phys. 42, (2016) [Fiz. Nizk. Temp. 42, 919-928, (2016)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4963325 .

Номер

Том 42 № 9 (2016)

Розділ

Квантові рідини та квантові кристали

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>