Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка

Автор(и)

  • А.В. Хоткевич Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.С. Красный Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4947488%20

Ключові слова:

металлы, мышьяк, электрон-фононное взаимодействие, микроконтактная спектроскопия.

Анотація

При температуре жидкого гелия измерены микроконтактные (МК) спектры (вторые производные вольт-амперных характеристик) точечных гомоконтактов As/As. Наблюдалась инверсия знака МК спектра вследствие разрушения локализации электронов в контакте из мышьяка из-за электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ). МК спектр содержит два основных максимума при энергиях 10 и 25 мэВ. Граница однофононной части спектра отвечает 34 мэВ. Это согласуется с известными результатами о плотности фононных состояний. Предполагая, что инверсный МК спектр отражает особенности спектральной функции ЭФВ, рассчитана среднеквадратичная частота фононов и получена оценка для температуры Дебая.

Downloads

Опубліковано

2016-02-18

Як цитувати

(1)
Хоткевич, А.; Красный, А. Инверсный микроконтактный спектр электрон-фононного взаимодействия в гомоконтактах из мышьяка. Fiz. Nizk. Temp. 2016, 42, 384-386.

Номер

Том 42 № 4 (2016)

Розділ

Електронні властивості провідних систем

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають