Функция электрон-фононного взаимодействия в слоистом дихалькогениде 2Ha-TaSe2

Автор(и)

  • Г.В. Камарчук Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.В. Хоткевич Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.В. Савицкий Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • P. Molinie Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes cedex 3, France
  • A. Leblanc Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes cedex 3, France
  • E. Faulques Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes cedex 3, France

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3170929

Ключові слова:

слоистые квазидвумерные проводники, дихалькогениды переходных металлов, микроконтактная спектроскопия, электрон-фононное взаимодействие.

Анотація

С помощью метода микроконтактной спектроскопии экспериментально исследован спектр электрон- фононного взаимодействия в слоистом квазидвумерном дихалькогениде 2Ha-TaSe2. Измерения выполнены на гетероконтактах 2Ha-TaSe2/Cu. Зарегистрированы микроконтактные спектры, отражающие эффекты электрон-фононного взаимодействия в спектральном режиме протекания тока и делокализации электронных состояний в области точечных контактов при малых импульсных длинах свободного пробега электронов. Впервые определена функция электрон-фононного взаимодействия в данном соединении. Хорошая воспроизводимость результатов подтверждена расчетами важных интегральных параметров электрон-фононной системы исследованного вещества.

Downloads

Опубліковано

2009-05-28

Як цитувати

(1)
Камарчук, Г.; Хоткевич, А.; Савицкий, А.; Molinie, P.; Leblanc, A.; Faulques, E. Функция электрон-фононного взаимодействия в слоистом дихалькогениде 2Ha-TaSe2. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 687-693.

Номер

Том 35 № 7 (2009)

Розділ

Електронні властивості провідних систем

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають