Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4913583%20Ключові слова:
квантовые ямы, положительно заряженные акцепторы, фотолюминесценция.Анотація
Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A+ центры). При помощи магнитооптических измеренийполучена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A+ центров. При помощи измерений температурных свойств фотолюминесценции исследована энергетическая структура примесной A+ зоны. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов, полученныхразличными оптическими методами, а также сопоставления с транспортными измерениями, сформулирована единая физическая картина спиновых и зарядовых явлений в таких системах. Предложена новая методика для экспериментального исследования кулоновской щели, появляющейся при низких температурах в плотности локализованных состояний, основанная на измерении спектров фотовозбуждения и фотолюминесценции.
Downloads
Опубліковано
2014-12-18
Як цитувати
(1)
П.В. Петров, Ивáнов Ю.Л., and Н.С. Аверкиев, Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs, Low Temp. Phys. 41, (2014) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 119-128, (2014)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4913583 .
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.