Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле

Анотація

Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля.