Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3573664Ключові слова:
примесь хрома, гальваномагнитные эффекты, осцилляции Шубникова-де Гааза, глубокий уровень хрома, электронная структура.Анотація
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы.
Downloads
Опубліковано
2011-01-28
Як цитувати
(1)
Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, and В.Е. Слынько, Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома, Low Temp. Phys. 37, (2011) [Fiz. Nizk. Temp. 37, 269-280, (2011)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3573664.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.