Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления

Автор(и)

  • Н.Б. Брандт
  • Е.П. Скипетров

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0034070

Ключові слова:

Downloads

Опубліковано

1996-08-10

Як цитувати

(1)
Н.Б. Брандт and Е.П. Скипетров, Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью давления: , Low Temp. Phys. 22, 665–682, (1996) [Fiz. Nizk. Temp. 22, 870-891, (1996)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0034070.

Номер

Том 22 № 8 (1996)

Розділ

Оглядова стаття

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.