Сверхпроводимость гранулированных пленок 80NbN-20SiO2
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3533238Ключові слова:
золь-гель метод, гранулированная пленка, сверхпроводимость, переход сверхпроводник-изолятор.Анотація
Продемонстрирована возможность создания гранулированных сверхпроводящих пленок NbN–SiO2 с контролируемым размером гранул золь-гель методом. Проведено комплексное исследование структурных и транспортных свойств гранулированных пленок 80%NbN–20%SiO2 разной толщины. Установлено, что для наблюдения полного сверхпроводящего перехода образцы должны быть толщиной больше 750 нм. Критические температуры сверхпроводящего перехода и верхние критические магнитные поля для пленок разной толщины примерно равны и составляют 4,5 К и 4,4 Тл соответственно. Обнаружен кроссовер от 2D к 3D поведению температурной зависимости верхнего параллельного критического магнитного поля. Показано, что в области слабых магнитных полей резистивные переходы хорошо описываются законом Аррениуса. Механизмом уширения резистивных переходов в магнитном поле, вероятнее всего, является крип магнитного потока. Получена зависимость энергии активации от магнитного поля. В сильных магнитных полях обнаружены характерные начальные признаки индуцированного магнитным полем фазового перехода сверхпроводник–изолятор.
Downloads
Опубліковано
2010-10-22
Як цитувати
(1)
О.И. Юзефович, Б. Костельска, С.В. Бенгус, and Витковска A., Сверхпроводимость гранулированных пленок 80NbN-20SiO2, Low Temp. Phys. 36, (2010) [Fiz. Nizk. Temp. 36, 1312-1319, (2010)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3533238.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.