Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI

Автор(и)

  • О.И. Юзефович Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • М.Ю. Михайлов Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • C.В. Бенгус Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Ю. Аладышкин Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, ГСП-105, 603950, Россия
  • Е.Е. Пестов Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, ГСП-105, 603950, Россия
  • Ю.Н. Ноздрин Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, ГСП-105, 603950, Россия
  • А.Ю. Сипатов Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина
  • Е.И. Бухштаб Solid State Institute, Technion, 32100 Haifa, Israel
  • Н.Я. Фогель Solid State Institute, Technion, 32100 Haifa, Israel

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.3029751

Ключові слова:

сверхпроводимость, полупроводниковые гетероструктуры, краевые дислокации несоответствия.

Анотація

Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс ≤ 6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальном росте. Обнаружено, что Тс и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщина d, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше, чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля Hc2 двухслойных систем более анизотропны. В области температур, близких к Тс, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D-2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственно от Тс и обнаруживается кроссовер типа 2D-1D с резкой расходимостью Hc2, характерной для сверхпроводящих сеток.

Downloads

Опубліковано

2008-10-30

Як цитувати

(1)
О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, Бенгус C.В., А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, and Н.Я. Фогель, Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI, Low Temp. Phys. 34, (2008) [Fiz. Nizk. Temp. 34, 1249-1258, (2008)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3029751.

Номер

Том 34 № 12 (2008)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>