Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки

Автор(и)

  • В.М. Дмитриев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины
  • И.В. Золочевский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины
  • Т.В. Саленкова Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3266913

Ключові слова:

широкая сверхпроводящая пленка, линия проскальзывания фазы, микроволновое облучение.

Анотація

Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного поля тока и проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Показано, что под действием микроволнового облучения резистивность пленки, обусловленная вихревым механизмом, уменьшается и при больших уровнях мощности (Р > 0,4Рс) исчезает, при этом dc резистивность пленки обусловлена только процессами проскальзывания фазы, как в узких безвихревых каналах. Экспериментально установлено, что начиная с некоторого уровня мощности Р* < Рс электромагнитное поле играет определяющую роль в процессах возникновения линий проскальзывания фазы. Аналогичный вывод сделан и при исследовании влияния микроволнового поля на дифференциальное сопротивление центра проскальзывания фазы в узких безвихревых каналах, что говорит о единой природе процессов проскальзывания фазы в широких и узких пленках.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2009-10-29

Як цитувати

(1)
Дмитриев, В.; Золочевский, И.; Саленкова, Т. Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 1089-1095.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 > >>