Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем

Автор(и)

  • В.М. Дмитриев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины
  • И.В. Золочевский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3272555

Ключові слова:

широкая сверхпроводящая пленка, линия проскальзывания фазы, микроволновое облучение, глубина проникновения продольного электрического поля в сверхпроводник.

Анотація

Экспериментально исследована зависимость сопротивления высокочастотной линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ) в оловянной широкой пленке от частоты внешнего облучения. Показано, что поведение ниспадающей ветви немонотонной частотной зависимости сопротивления ас ЛПФ хорошо согласуется с предсказаниями теории. Поведение возрастающей ветви этой частотной зависимости связывается с нелинейными процессами релаксации разбаланса заселенностей ветвей квазичастичного спектра в условиях микроволновой накачки при частотах облучения, бульших обратного времени релаксации зарядового разбаланса. Проведены сравнения с аналогичными зависимостями для высокочастотных центров проскальзывания фазы в узких каналах. Получены зависимости глубины проникновения переменного продольного электрического поля в сверхпроводник от частоты и длины свободного пробега электронов при рассеянии на примесях.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2009-10-21

Як цитувати

(1)
Дмитриев, В.; Золочевский, И. Частотная зависимость сопротивления линии проскальзывания фазы, обусловленной электромагнитным полем. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 1187-1191.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>