Электронное допирование NbSe2

Автор(и)

  • В.В. Еременко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.В. Ибулаев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.А. Сиренко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • М.Ю. Шведун Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Л.М. Куликов Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев-142, 03680, Украина
  • Ю.Т. Петрусенко Национальный научный центр НАН Украины "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
  • В.М. Борисенко Национальный научный центр НАН Украины "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
  • А.Н. Астахов Национальный научный центр НАН Украины "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
  • Д.Ю. Баранков Национальный научный центр НАН Украины "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3132767

Ключові слова:

быстрые электроны, рентгеновская и электронная дифракция, электронная плотность.

Анотація

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe2. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.

Downloads

Опубліковано

2009-04-14

Як цитувати

(1)
Еременко, В.; Ибулаев, В.; Сиренко, В.; Шведун, М.; Куликов, Л.; Петрусенко, Ю.; Борисенко, В.; Астахов, А.; Баранков, Д. Электронное допирование NbSe2. Fiz. Nizk. Temp. 2009, 35, 545-548.

Номер

Том 35 № 5 (2009)

Розділ

Короткі повідомлення

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 5 > >>