Электронное допирование NbSe2
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3132767Ключові слова:
быстрые электроны, рентгеновская и электронная дифракция, электронная плотность.Анотація
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe2. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.
Downloads
Опубліковано
2009-04-14
Як цитувати
(1)
В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, and Д.Ю. Баранков, Электронное допирование NbSe2, Low Temp. Phys. 35, (2009) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 545-548, (2009)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3132767.
Номер
Розділ
Короткі повідомлення
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.