Низкотемпературные проявления гибридизированных электронных состояний примесей железа в термоэдс селенида ртути
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.3081154Ключові слова:
примеси переходных элементов, термоэдс, плотность электронных состояний, гибридизация электронных состояний, резонансное рассеяние электронов.Анотація
Исследована температурная зависимость коэффициента термоэдс в селениде ртути с примесями железа и кобальта при низких температурах. В кристаллах с примесями железа при концентрациях, близких к тем, которые отвечают концентрационному максимуму электронной подвижности, в температурном интервале ниже 25 К обнаружено аномально сильное уменьшение термоэдс, которое объясняется проявлением резонансного рассеяния электронов в гибридизированных состояниях на донорных примесях железа. Подгонка полученной теоретической зависимости к наблюдаемой позволила дать количественную интерпретацию экспериментальных данных и определить значения параметров гибридизированных состояний, согласующиеся с найденными при исследованиях других эффектов. В кристаллах с примесями кобальта не обнаружено аномалий, связанных с проявлением гибридизации электронных состояний, что согласуется с данными по проводимости и отвечает более низкому, чем у примесей железа, значению энергии резонанса у примесей кобальта.
Downloads
Опубліковано
2009-01-22
Як цитувати
(1)
А.Т. Лончаков, В.И. Окулов, В.Л. Константинов, К.А. Окулова, and С.Ю. Паранчич, Низкотемпературные проявления гибридизированных электронных состояний примесей железа в термоэдс селенида ртути, Low Temp. Phys. 35, (2009) [Fiz. Nizk. Temp. 35, 295-298, (2009)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.3081154.
Номер
Розділ
Електронні властивості провідних систем
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.