Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников
Структура и свойства полупроводников с переходными элементами
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.2719957Ключові слова:
примеси переходных элементов, магнитная восприимчивость, электронная теплопроводность, электронное поглощение звука.Анотація
Изложены новые результаты исследований явлений, обусловленных существованием электронных резонансных энергетических уровней и гибридизированных состояний на примесях переходных элементов в полупроводниках. Приведены экспериментальные данные, демонстрирующие существование резонансных аномалий, связанных с влиянием примесей, в теплопроводности и ультразвуковых параметрах селенида ртути с примесями железа. Изложена детальная согласованная интерпретация совокупности наблюдавшихся эффектов гибридизированных состояний в селениде ртути с примесями железа. Обсуждается предлагаемая интерпретация данных, полученных на других системах.
Downloads
Опубліковано
2007-02-05
Як цитувати
(1)
В.И. Окулов, Т.Е. Говоркова, В.В. Гудков, И.В. Жевстовских, А.В. Королев, А.Т. Лончаков, К.А. Окулова, Е.А. Памятных, and С.Ю. Паранчич, Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников: Структура и свойства полупроводников с переходными элементами, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 282-290, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2719957.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.