Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix

Электронные свойства низкоразмерных систем

Анотація

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge_1-xSi_x с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤ 2 Тл при фиксированных температурах 0,2K ≤ T ≤ 4,2 K. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы t_j ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри F₀^s=-0,51, амплитуда фермижидкостного взаимодействия l= 0,40, фактор Ланде g = 12,0.