Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл в тонких пленках Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3

Автор(и)

  • P. Aleshkevych Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
  • M. Baran Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
  • В.А. Бедарев Физико-технический институт низких температур им. Б.И.Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.И. Гапон Физико-технический институт низких температур им. Б.И.Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • О.Ю. Горбенко Московский государственный университет, г. Москва, 119899, Россия
  • С.Л. Гнатченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И.Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Р. Кауль Московский государственный университет, г. Москва, 119899, Россия
  • R. Szymczak Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
  • H. Szymczak Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1820033

Ключові слова:

PACS: 71.30. h, 75.30.Kz

Анотація

Исследовано влияние светового облучения на магнитные и транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок манганита Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3. Обнаружено, что облучение пленок светом He-Ne лазера приводит к увеличению их намагниченности и уменьшению электрического сопротивления, стимулируя фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл, наблюдаемый в этом кристалле в магнитном поле при низких температурах. Показано, что поле фазового перехода заметно уменьшается после облучения пленок светом. Сделан вывод о том, что световое облучение вызывает образование и рост ферромагнитных металлических кластеров внутри антиферромагнитной диэлектрической фазы. Механизм воздействия света на магнитное и электрическое состояния манганита Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3 может быть связан с фотоиндуцированным переносом электронов с ионов Mn3+ на ионы Mn4+, что приводит к плавлению зарядового упорядочения, имеющего место в исследуемом манганите в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии, и вызывает переход кристалла в ферромагнитную металлическую фазу.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2004-10-21

Як цитувати

(1)
Aleshkevych, P.; Baran, M.; Бедарев, В.; Гапон, В.; Горбенко, О.; Гнатченко, С.; Кауль, А.; Szymczak, R.; Szymczak, H. Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик-ферромагнитный металл в тонких пленках Pr0,6La0,1Ca0,3MnO3. Fiz. Nizk. Temp. 2004, 30, 1261-1271.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 4 5 6 7 8 9