Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge1-xSix/Ge/Ge1-xSix с помощью гальваномагнитных эффектов

Низкоразмерные и сверхпроводящие системы

Анотація

Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge_1-xSi_x/Ge/Ge_1-xSi_x p-типа при ширине слоев Ge более ~ 30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато квантового эффекта Холла и соответствующего минимума продольного магнитосопротивления для фактора заполнения n = 1. При этом наблюдается положительное магнитосопротивление, которое мы связываем с наличием двух типов дырок с разными подвижностями. Количественный анализ показывает, что это в основном тяжелые дырки, имеющие разные подвижности в сформировавшихся подслоях. Различие подвижностей указывает на разное качество противоположных гетерограниц слоев Ge. Из анализа вида плато квантового эффекта Холла при n = 2 следует, что концентрации дырок в сформировавшихся подслоях близки, следовательно, профиль потенциальных ям близок к симметричному.