Замороженное магнитосопротивление при перемагничивании гранулированных Bi(Pb)-ВТСП

Анотація

Изучены зависимости замороженного магнитосопротивления керамических Bi(Pb)-ВТСП образцов от полей, инициирующих захват магнитного потока, и от перемагничивающих полей R _t(H _i , H _r). Обнаружено, что зависимости R _t (H _r) немонотонны. При этом величина замороженного магнитосопротивления существенно уменьшается после приложения первого импульса H _r (H _r < H _i), однако практически не изменяется при последующем перемагничивании такими же по величине импульсами любой полярности. Изучено влияние перемагничивания на анизотропию магнитосопротивления и эффект отрицательного магнитосопротивления. Показано, что полученные результаты противоречат моделям критического состояния для гранул и сверхпроводящих контуров, но хорошо описываются количественно предлагаемой моделью гранулированного Bi(Pb)-ВТСП, согласно которой захват магнитного потока происходит в "нормальных" гранулах, покрытых сверхпроводящими оболочками, а сопротивление образцов определяется цепочками слабых связей.