Анизотропия магнитосопротивления при захвате магнитных полей в гранулированных Bi-ВТСП

Автор(и)

  • А.А. Суханов Институт радиотехники и электроники РАН пл. Введенского, д.1, Московская обл., Фрязино, 141190, Россия
  • В.И. Омельченко Институт радиотехники и электроники РАН пл. Введенского, д.1, Московская обл., Фрязино, 141190, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1542471

Ключові слова:

PACS: 74.25.Ha, 74.80.Bj, 74.25.Fy

Анотація

Исследованы особенности магнитосопротивления в керамиках Bi(Pb)-ВТСП с захваченными магнитными полями. Обнаружено, что при захвате магнитного потока магнитосопротивление в таких гранулированных ВТСП становится анизотропным. При этом для магнитных полей H, параллельных инициировавшему захват полю Hi, и токов, перпендикулярных Hi, полевая зависимость магнитосопротивления DR(H) оказывается немонотонной, а магнитосопротивление в слабых магнитных полях H < Hinv - отрицательным. Изучено влияние величин захваченного поля и транспортного тока, а также их ориентации на зависимость DR(H). Найдено, в частности, что поле инверсии знака магнитосопротивления Hinv практически линейно возрастает с увеличением эффективных захваченных магнитных полей, уменьшается до нуля при увеличении угла между направлениями полей H и Hi до p/2 и слабо уменьшается при увеличении транспортного тока. Результаты объяснены в рамках модели захвата магнитного потока в сверхпроводящих гранулах или сверхпроводящих "кольцах", погруженных в матрицу слабых связей.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2003-03-06

Як цитувати

(1)
Суханов, А.; Омельченко, В. Анизотропия магнитосопротивления при захвате магнитных полей в гранулированных Bi-ВТСП. Fiz. Nizk. Temp. 2003, 29, 396-399.

Номер

Розділ

Низькотемпературний магнетизм