Анизотропия магнитосопротивления при захвате магнитных полей в гранулированных Bi-ВТСП

Анотація

Исследованы особенности магнитосопротивления в керамиках Bi(Pb)-ВТСП с захваченными магнитными полями. Обнаружено, что при захвате магнитного потока магнитосопротивление в таких гранулированных ВТСП становится анизотропным. При этом для магнитных полей H, параллельных инициировавшему захват полю H_i, и токов, перпендикулярных H_i, полевая зависимость магнитосопротивления DR(H) оказывается немонотонной, а магнитосопротивление в слабых магнитных полях H < H_inv - отрицательным. Изучено влияние величин захваченного поля и транспортного тока, а также их ориентации на зависимость DR(H). Найдено, в частности, что поле инверсии знака магнитосопротивления H_inv практически линейно возрастает с увеличением эффективных захваченных магнитных полей, уменьшается до нуля при увеличении угла между направлениями полей H и H_i до p/2 и слабо уменьшается при увеличении транспортного тока. Результаты объяснены в рамках модели захвата магнитного потока в сверхпроводящих гранулах или сверхпроводящих "кольцах", погруженных в матрицу слабых связей.