Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках

Автор(и)

  • А. И. Копелиович Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А. А. Мамалуй Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина
  • Л. Г. Петренко Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина
  • Т. Н. Шелест Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт" ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1521298

Ключові слова:

PACS: 73.61.-r

Анотація

Предложено объяснение большого отклонения от правила Маттиссена, наблюдающегося экспериментально в квазиодномерном металле NbSe3, поверхность Ферми которого содержит несколько изолированных друг от друга листов. Отклонение от правила Маттиcсена возникает в результате неаддитивного влияния на функцию распределения электронов процессов рассеяния электронов на дефектах решетки (вакансиях Se) и фононах. Показано, что полученные экспериментально температурные зависимости удельного электросопротивления NbSe3 могут быть удовлетворительно описаны в рамках упрощенной модели одномерной поверхности Ферми, представляющей собой две пары симметричных точек в пространстве квазиимпульсов. Большие отклонения от правила Маттисcена можно объяснить различным характером рассеяния электронов, локализованных на разных структурных цепочках квазиодномерного металла, на дефектах решетки и на фононах.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2002-09-10

Як цитувати

(1)
Копелиович, А. И.; Мамалуй, А. А.; Петренко, Л. Г.; Шелест, Т. Н. Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 1078-1082.

Номер

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2