Об отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках

Анотація

Предложено объяснение большого отклонения от правила Маттиссена, наблюдающегося экспериментально в квазиодномерном металле NbSe₃, поверхность Ферми которого содержит несколько изолированных друг от друга листов. Отклонение от правила Маттиcсена возникает в результате неаддитивного влияния на функцию распределения электронов процессов рассеяния электронов на дефектах решетки (вакансиях Se) и фононах. Показано, что полученные экспериментально температурные зависимости удельного электросопротивления NbSe₃ могут быть удовлетворительно описаны в рамках упрощенной модели одномерной поверхности Ферми, представляющей собой две пары симметричных точек в пространстве квазиимпульсов. Большие отклонения от правила Маттисcена можно объяснить различным характером рассеяния электронов, локализованных на разных структурных цепочках квазиодномерного металла, на дефектах решетки и на фононах.