Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe3

Автор(и)

  • А. А. Мамалуй Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21
  • Т. Н. Шелест Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21
  • Х. Б. Чашка Харьковский государственный политехнический университет, Украина, 61002, г. Харьков, ул. Фрунзе, 21

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593877

Ключові слова:

Анотація

Исследованы температурные зависимости электросопротивления квазиодномерного NbSe3 в интервале 78-550 К в термодинамически равновесном и неравновесном состояниях. В области температур 300-550 К обнаружено экспоненциальное отклонение от линейной зависимости, связанное с образованием термодинамически равновесных вакансий Se. Для изучения влияния собственных точечных дефектов (вакансий) на свойства NbSe3 при 78-300 К использовался метод закалки. Для образцов с избыточными вакансиями обнаружено аномально большое отклонение от правила Маттиссена (до 150%).

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-02-10

Як цитувати

(1)
Мамалуй, А. А.; Шелест, Т. Н.; Чашка, Х. Б. Влияние собственных точечных дефектов на электрофизические характеристики NbSe3. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 176-180.

Номер

Том 26 № 2 (2000)

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають