Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП YBa2Cu3O7-x, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ

Анотація

Исследованы радиационные эффекты в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП YBa₂Cu₃O_7-x, облученных малыми дозами электронов c энергией 1 МэВ. Максимальная доза облучения (4×10¹⁶ электронов/см²) выбрана из условия, чтобы уменьшением критической температуры YBa₂Cu₃O_7-x, обусловленным дефектами, образованными в результате электронно-ядерных столкновений, можно было пренебречь. При выполнении этого условия основным источником радиационных эффектов в пленках ВТСП могут быть процессы, связанные с возбуждением электронной подсистемы YBa₂Cu₃O_7-x. При облучении пленок YBa₂Cu₃O_7-x дозами (1-4)×10¹⁶ электронов/см² наблюдалось повышение их критической температуры Т_с (в противоположность описанному в литературе уменьшению Т_с при облучении дозами, большими 10¹⁸ электронов/см²), которая с течением времени после облучения релаксировала к своему исходному значению. Подобные эффекты аналогичны явлениям, наблюдавшимся при фотовозбуджении электронной подсистемы YBa₂Cu₃O_7-x(фотостимулированная сверхпроводимость). Наблюдалось также понижение плотности критического тока в облученных пленках YBa₂Cu₃O_7-x, которое связано с радиационными изменениями прозрачности дислокационных стенок в малоугловых межблочных границах для сверхпроводящего тока.